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半導体の酸化機構と酸化膜
6,380円
(5,800円+税)
本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。
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公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
近代科学社Digital
発行日: 2026-02-27
対応フォーマット: PDF, EPUB
近代科学社Digital
発行日: 2026-02-27
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