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半導体の酸化機構と酸化膜
6,380円
(5,800円+税)
本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。
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内容紹介
酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも，酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。
書誌情報
- 著者: 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
- 発行日: 2026-02-27
- 最終更新日: 2026-02-27
- バージョン: 1.0.0
- ページ数: 408ページ(PDF版換算)
- 対応フォーマット: PDF, EPUB
- 出版社: 近代科学社Digital
対象読者
半導体,デバイス,第一原理計算,シリコン,酸化,酸化膜,界面,絶縁,MOSに興味がある人
著者について
公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
