はじめてのパワー半導体デバイス
3,080円
(2,800円+税)
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内容紹介
モビリティの電動化やフィジカルAI、AIデータセンターの増設など変化が著しい技術環境において、電力供給の高効率化や省エネルギー化を担うパワー半導体デバイスの重要性が増しています。
本書は大学の講義資料を基礎とし、大学・高等専門学校の学生や企業の若手技術者に向けた教科書となることを意図して構成しています。pn接合やMOS構造といった基本原理をはじめ、MOSFETやIGBTの動作原理、さらにSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料の物性特性プロセス技術まで詳細に解説。
最前線の技術課題に直結する基礎知識を体系的に修得し、次世代の学術基盤を構築するための一冊です。
書誌情報
- 著者: 岩室 憲幸
- 発行日: 2026-10-09
- 最終更新日: 2026-10-09
- バージョン: 1.0.0
- ページ数: 196
- 対応フォーマット: PDF, EPUB
- 出版社: 近代科学社Digital
対象読者
SiC,GaN,MOSFET,IGBT,pn接合,ショットキーバリアダイオード,MOS構造,オン抵抗,スイッチング特性,ノーマリーオフ,パワー半導体,パワーエレクトロニクス,半導体デバイス,電気自動車,次世代半導体,データセンター,ワイドバンドギャップに興味がある人
著者について
岩室 憲幸
経歴
1962年 東京都板橋区生まれ
1984年 早稲田大学理工学部電気工学科卒
1992-93年 米国North Carolina State University, Power Semiconductor Research Center 客員研究員
1998年：博士（工学）（早稲田大学）
職歴
1984年 富士電機株式会社入社。1988年からシリコンIGBT、ダイオードならびにSiCデバイスの研究開発、製品化に従事
2009年 (国)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
SiCパワーデバイス量産化技術開発に従事
2013年4月－ 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授、現在に至る
専門
シリコンならびにSiCパワーデバイスの設計ならびに評価・解析
書籍刊行実績
1) 岩室 憲幸著；「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 科学情報出版株式会社 2019年9月
2) 岩室 憲幸著；「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」科学情報出版株式会社 2024年2月
3) 岩室 憲幸監修；「SiCパワーデバイスの開発と最新動向」S＆T出版株式会社 2012年10月
4) 岩室 憲幸監修；「SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント」S＆T出版株式会社 2018年1月
5) 岩室 憲幸監修；「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」S＆T出版株式会社 2022年7月
6) 岩室 憲幸監修；「次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開」株式会社シーエムシー出版 2015年6月
7) 岩室 憲幸監修；「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」株式会社シーエムシー出版 2021年8月
8) 岩室 憲幸監修；「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」株式会社エヌ・ティー・エス 2022年2月
9) Noriyuki Iwamuro 執筆; “SiC power device design and fabrication,” Chapter 4 of ”Wide Bandgap Semiconductor Power Devices (edited by B. Jayant Baliga), Woodhead Publishing, 2019.
10) Noriyuki Iwamuro 執筆; “Silicon Power Devices,” Chapter 13 of ”Springer Handbook of Semiconductor Devices (edited by M. Rudan, R. Brunetti, S. Reggiani), Springer International Publishing, 2023.
所属学会
電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Member