半導体の酸化機構と酸化膜
公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
近代科学社Digital本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。
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書籍情報
著者: 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会
発行日: 2026-02-27
最終更新日: 2026-07-31
バージョン: 1.1.0
ページ数: 408ページ(PDF版換算)ページ
対応フォーマット: PDF, EPUB
出版社: 近代科学社Digital
対象読者
半導体,デバイス,第一原理計算,シリコン,酸化,酸化膜,界面,絶縁,MOSに興味がある人